| InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究 |
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| 引用本文： | 赵继刚,邵彬,王太宏.InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究[J].物理学报,2002,51(6):1355-1359. |
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| 作者姓名： | 赵继刚 邵彬 王太宏 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院物理研究所,北京100080; (2)中国科学院物理研究所,北京100080;北京理工大学,北京100081 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :6 992 5 410和 19990 40 15 )资助的课题 |
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| 摘 要： | 分析研究了GaAsInAs自组装量子点的电输运性质,通过对实验数据的分析,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和IV曲线中迟滞回路以及电导曲线中台阶结构产生的原因.迟滞回路和台阶的出现与电场中量子点的充放电过程相关:迟滞回路反映了量子点充电后对载流子的库仑作用,而电导台阶则反映了量子点因共振隧穿的放电现象
关键词：
迟滞现象
自组装量子点
共振隧穿
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| 关 键 词： | 迟滞现象 自组装量子点 共振隧穿 |
| 收稿时间： | 2001-11-28 |
| 修稿时间： | 2001年11月28 |
The electric properties of GaAs Schottky diode contining InAs self-assembled quantum dots |
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| Zhao Ji-Gang,Shao Bin and Wang Tai-Hong.The electric properties of GaAs Schottky diode contining InAs self-assembled quantum dots[J].Acta Physica Sinica,2002,51(6):1355-1359. |
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| Authors: | Zhao Ji-Gang Shao Bin and Wang Tai-Hong |
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| Abstract: | The properties of current transport in InAs/GaAs self-assembled quantum dots and the influence of schottky diode are investigated. Hystereses and steps contact with charging and discharging of electrons in the quantum dots. Hystereses are arising from the charged quantum dots that block electrons. All the steps are arising from that the electrons resonant tunnel out of the quantum dots. The electrons that come out of quantum dots affect the current transport. |
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| Keywords: | hystereses self-assembled quantum dots(SAQDs) resonant tunneling |
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