| 采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料 |
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| 引用本文： | 侯国付,薛俊明,袁育杰,张德坤,孙建,张建军,赵颖,耿新华.采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料[J].人工晶体学报,2007,36(1):85-88. |
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| 作者姓名： | 侯国付 薛俊明 袁育杰 张德坤 孙建 张建军 赵颖 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息科学与技术教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);天津市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果.重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响.通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗电导率依然达到1.81S/cm,激活能达25meV,晶化率为57;.文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析.
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| 关 键 词： | p型微晶硅 高压RF-PECVD 太阳电池 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）01-0085-04 |
| 修稿时间： | 2006-08-28 |
High Conductive p-type Microcrystalline Silicon with High Crystallinity Prepared by High-pressure RF-PECVD |
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| HOU Guo-fu,XUE Jun-ming,YUAN Yu-jie,ZHANG De-kun,SUN Jian,ZHANG Jian-jun,ZHAO Ying,GENG Xin-hua.High Conductive p-type Microcrystalline Silicon with High Crystallinity Prepared by High-pressure RF-PECVD[J].Journal of Synthetic Crystals,2007,36(1):85-88. |
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| Authors: | HOU Guo-fu XUE Jun-ming YUAN Yu-jie ZHANG De-kun SUN Jian ZHANG Jian-jun ZHAO Ying GENG Xin-hua |
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| Affiliation: | Institute of Photo,electronics Thin Film Devices and Technique of Nankai University,Tianjin 300071, China; Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technique of Tianjin, Tianjing 300071, China; Key Laboratory of Opto-electronic Information Science and Technology ( Nankai University, Tianjin University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-type microcrystalline silicon high-pressure RF-PECVD solar cell |
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