| 高k栅极电介质材料与Si纳米晶体管(续) |
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| 引用本文： | 张邦维. 高k栅极电介质材料与Si纳米晶体管(续)[J]. 微纳电子技术, 2006, 43(4): 161-166 |
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| 作者姓名： | 张邦维 |
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| 作者单位： | 湖南大学应用物理系,长沙,410082 |
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| 摘 要： | 从上述讨论可以看出，世界上许多的研究组直到眼下都在系统地研究高k的电荷捕获和由捕获所产生的特性，特别是在高电应力和高温条件下的测定，并且利用这些捕获的空间和能级分布来进行解释。这大大地加深了对于高k介电体电荷捕获问题的理解，但显然问题并没有完全解决，仍然需要继续工作。
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| 关 键 词： | 纳米晶体管 电介质材料 Si 栅极 高温条件 能级分布 捕获问题 在系统 应力和 介电体 |
| 文章编号： | 1671-4776(2006)04-0161-06 |
| 收稿时间： | 2005-10-12 |
| 修稿时间： | 2005-10-12 |
High k Gate Dielectric Materials and Si Nanotransistor (Continued) |
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| ZHANG Bang-wei. High k Gate Dielectric Materials and Si Nanotransistor (Continued)[J]. Micronanoelectronic Technology, 2006, 43(4): 161-166 |
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| Authors: | ZHANG Bang-wei |
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| Affiliation: | Department of Applied Physics, Hunan University, Changsha 410082, China |
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