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多孔硅在多晶Si太阳电池中的应用研究
引用本文:赵慧,徐征,励旭东,王文静.多孔硅在多晶Si太阳电池中的应用研究[J].光电子.激光,2004,15(5):575-577.
作者姓名:赵慧  徐征  励旭东  王文静
作者单位:北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044;北京市太阳能研究所,北京,100083;北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044;北京市太阳能研究所,北京,100083
摘    要:采用化学腐蚀法分别在单晶Si和多晶Si上制备了多孔Si。对室温下HF、HNO3的不同配比进行了实验比较,用显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察了多孔Si的表面形貌,用紫外激发观察了它的荧光光谱并用反射光谱测试结果研究了多孔Si的光学特性。采用一步多孔Si法制备了1cm×1cm的单晶和多晶Si电池,比较了制备多孔Si前后电池的各项性能参数。实验表明:多孔Si对于提高单晶Si和多晶Si电池的电学特性都有重要作用。

关 键 词:化学腐蚀法  太阳能电池  多孔Si
文章编号:1005-0086(2004)05-0575-03

Applied Porous Silicon on Multicrystalline Solar Cells
ZHAO Hui.Applied Porous Silicon on Multicrystalline Solar Cells[J].Journal of Optoelectronics·laser,2004,15(5):575-577.
Authors:ZHAO Hui
Abstract:
Keywords:stain etching method  solar cell  porous silicon
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