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Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质
引用本文:郑玉宏 赵建华 毕京锋 王玮竹 邓加军 夏建白. Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 211-214
作者姓名:郑玉宏 赵建华 毕京锋 王玮竹 邓加军 夏建白
作者单位:郑玉宏(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083);赵建华(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083);毕京锋(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083);王玮竹(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083);邓加军(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科技大学物理系,合肥,230026);夏建白(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083)
基金项目:国家自然科学基金(批准号:10334030,10425419,90301007,60521001)及国家重点基础研究专项基金(批准号:2001CB3095)资助项目
摘    要:利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAsCr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAsCr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.

关 键 词:稀磁半导体  铁磁性  分子束外延
文章编号:0253-4177(2007)S0-0211-04
修稿时间:2006-12-30

Growth and Characterization of Cr-Doped InAs Self-Organized Diluted Magnetic Quantum Dots
Abstract:
Keywords:
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