Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质 |
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引用本文: | 郑玉宏 赵建华 毕京锋 王玮竹 邓加军 夏建白. Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 211-214 |
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作者姓名: | 郑玉宏 赵建华 毕京锋 王玮竹 邓加军 夏建白 |
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作者单位: | 郑玉宏(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083);赵建华(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083);毕京锋(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083);王玮竹(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083);邓加军(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科技大学物理系,合肥,230026);夏建白(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083) |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:10334030,10425419,90301007,60521001)及国家重点基础研究专项基金(批准号:2001CB3095)资助项目 |
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摘 要: | 利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAsCr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAsCr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.
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关 键 词: | 稀磁半导体 铁磁性 分子束外延 |
文章编号: | 0253-4177(2007)S0-0211-04 |
修稿时间: | 2006-12-30 |
Growth and Characterization of Cr-Doped InAs Self-Organized Diluted Magnetic Quantum Dots |
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