| 电介质膜增强的Goos-Hnchen位移的微波测量 |
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| 作者姓名： | 李春芳 杨晓燕 段弢 张纪岳 |
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| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室，华中科技大学光电子工程系，中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室，中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室 陕西西安710068，上海大学理学院物理系，上海200444，湖北武汉430074，陕西西安710068，陕西西安710068 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60377025,60407007)，上海市科委基础研究重点项目(04JC14036)，上海市青年科技启明星跟踪计划(03QMH1405)，上海市教委青年基金(04AC99)，上海市重点学科建设项目(T0104)资助课题 |
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| 摘 要： | 如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜(介质膜的另一侧为折射率更低的介质,如空气),并且恰当选择基底内光束的入射角,使得光束在基底-介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜-空气界面上全反射,那么反射光束的Goos-Ha¨nchen(GH)位移在一定条件下会得到共振增强。采用微波技术直接地测量了这种Goos-Ha¨nchen位移随电介质膜厚度的变化,测量结果与理论预言吻合得较好。
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| 关 键 词： | Goos-Hnchen位移 共振增强 电介质膜 微波测量 |
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