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杂志ISSN号
1V,19GHz CMOS分频器设计
引用本文:
曾晓军,李天望,洪志良. 1V,19GHz CMOS分频器设计[J]. 半导体学报, 2003, 24(4): 416-420
作者姓名:
曾晓军
李天望
洪志良
作者单位:
复旦大学电子工程系,上海200433
摘 要:
对传统分频器电路工作在低电压(1V)时存在的问题进行了分析,在此基础上提出了一种新的分频器电路结构,将NMOS和PMOS管的直流偏置电压分开,有效地解决了分频器在低电压下工作所存在的问题,采用0.18μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,该分频器在1V的电源电压下,能够工作的最高输入频率为19GHz,功耗仅为2.5mW。
关 键 词:
CMOS
分频器
频率合成器
锁相环
场效应器件
文章编号:
0253-4177(2003)04-0416-05
修稿时间:
2002-05-14
Design of a 1V,19GHz CMOS Frequency Divider
Abstract:
Keywords:
frequency synthesizer
frequency divider
phase locked loop
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