脉冲电镀与直流电镀制源技术研究进展

近年来，为了研究重元素的化学行为，锕系靶被用来合成多种重元素的富中子同位素。自上世纪70年代以来，制备此类用于裂变截面测量或加速器轰击的锕系元素靶，大多采用分子镀技术。传统的分子镀技术均使用直流电源。为克服传统直流电沉积方法的不利因素，制备厚度与牢固度更高的锕系元素靶，我们对脉冲电沉积制靶技术进行了研究。