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| LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究 | |
| 引用本文： | 顾宁 于向东. LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究[J]. 微细加工技术, 1996, 0(2): 39-43 |
| 作者姓名： | 顾宁 于向东 |
| 作者单位： | 东南大学分子与生物分子电子学国家教委开放实验室，华晶电子集团公司掩模制造中心 |
| 摘 要： | 采用自行研制的ＬＢ自动提膜装置，制备出大面积（１０×８ｃｍ２）、高质量的ＰＭＭＡ超薄抗蚀剂膜，并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光，湿法蚀刻，制作了分辨率优于０．５μｍ，特征线宽０．３８μｍ的４（１００ｍｍ）铬掩模版。 |
| 关 键 词： | 掩模制造；超薄抗蚀层；Langmuir－Blodgett（LB）膜；亚微米光刻；电子束曝光 |
STUDY OF PREPARATION OF ULTRATHIN PMMA RESIST BY USING LB TECHNIQUE |
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| Gu Ning,Qian Feng,Hong Qingyue, Lu Zuhong. STUDY OF PREPARATION OF ULTRATHIN PMMA RESIST BY USING LB TECHNIQUE[J]. Microfabrication Technology, 1996, 0(2): 39-43 | |
| Authors: | Gu Ning Qian Feng Hong Qingyue Lu Zuhong |
| Abstract: | |
| Keywords: | fabrication mask ultrathin resist layer Langmuir-Boldgett (LB)film submicron lithography electron beam lithography |
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