| 全耗尽CMOS／SIMOX器件研制 |
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| 引用本文： | 李金华,姜美芬.全耗尽CMOS／SIMOX器件研制[J].微细加工技术,1996(3):31-35. |
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| 作者姓名： | 李金华 姜美芬 |
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| 作者单位： | 江苏石油化工学院物理教研室，常州半导体厂，中科院上海冶金所 |
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| 摘 要： | 在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ和ＮＭＯＳ的漏电分别达到３．Ｏ×１０－１１Ａ／μｍ和２．２×１０－１０Ａ／μｍ。５Ｖ时，例相器的平均延迟时间达６ｎｓ。
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| 关 键 词： | SIMOX材料 CMOS器件 全耗尽结构 |
FABRICATON OF FULLY-DEPLETED CMOS/SIMOX DEVICES |
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| Li Jinhua, Jiang Meifeng, Jiang Meiping, Lin Chenglu.FABRICATON OF FULLY-DEPLETED CMOS/SIMOX DEVICES[J].Microfabrication Technology,1996(3):31-35. |
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| Authors: | Li Jinhua Jiang Meifeng Jiang Meiping Lin Chenglu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SIMOX material CMOS device fully-depleted structure |
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