| 一种高精度CMOS带隙基准电压源设计 |
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| 引用本文： | 沈菊,宋志棠,刘波,封松林,朱加兵. 一种高精度CMOS带隙基准电压源设计[J]. 半导体技术, 2007, 32(9): 792-795 |
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| 作者姓名： | 沈菊 宋志棠 刘波 封松林 朱加兵 |
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| 作者单位： | 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 中国科学院基金 , 上海市科委资助项目 |
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| 摘 要： | 介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路.该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18 μm CMOS工艺.Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120 ℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电源抑制比为69 dB.该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路.
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| 关 键 词： | 带隙 电压源 温度系数 电源抑制比 互补金属氧化物半导体 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）09-0792-04 |
| 修稿时间： | 2007-04-16 |
Design of High Precision CMOS Bandgap Voltage Reference |
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| SHEN Ju,SONG Zhi-tang,LIU Bo,FENG Song-lin,ZHU Jia-bing. Design of High Precision CMOS Bandgap Voltage Reference[J]. Semiconductor Technology, 2007, 32(9): 792-795 |
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| Authors: | SHEN Ju SONG Zhi-tang LIU Bo FENG Song-lin ZHU Jia-bing |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap voltage reference temperature coefficient power supply rejection ratio CMOS |
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