| Al掺杂ZnO薄膜的热处理工艺与性能研究 |
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| 引用本文： | 江民红,刘心宇.Al掺杂ZnO薄膜的热处理工艺与性能研究[J].材料热处理学报,2009,30(2). |
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| 作者姓名： | 江民红 刘心宇 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学,广西信息材料重点实验室,广西,桂林,541004;中南大学材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083 |
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| 基金项目： | 广西“电子信息材料与器件”科技创新人才基金 |
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| 摘 要： | 采用陶瓷烧结靶材、射频磁控溅射法制备了(002)择优取向的Al掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同的热处理工艺对显微结构、光电性能的影响。结果表明,真空400℃退火能大幅提高ZAO薄膜的导电性能,并保持其平均透光率在85%以上,而非真空退火(大气环境)将使ZAO薄膜材料绝缘化,400℃真空退火时间或退火次数对导电性能无明显影响,但随退火时间和退火次数的增加薄膜组织恶化,在真空循环退火条件下尤为严重;经400℃真空退火的薄膜样品,其最低电阻率达8.4×10-4Ω.cm。
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| 关 键 词： | ZAO薄膜 真空退火 导电性能 组织 |
Research on annealing process and properties of Al-doped ZnO films |
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| JIANG Min-hong,LIU Xin-yu.Research on annealing process and properties of Al-doped ZnO films[J].Transactions of Materials and Heat Treatment,2009,30(2). |
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| Authors: | JIANG Min-hong LIU Xin-yu |
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| Affiliation: | 1.Guangxi Key Laboratory of Information Materials;Guilin University of Electronic Technology;Guilin 541004;China;2.College of Material Science and Engineering;Central South University;Changsha 410083;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZAO thin films vacuum annealing conductive property microstructure |
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