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| 纳米非晶氮化硅的界面极化行为及其机制 | |
| 作者姓名： | 王涛 |
| 作者单位： | 中国科学院固体物理研究所 合肥230031(王涛)，中国科学院固体物理研究所 合肥230031(张立德) |
| 摘 要： | 纳米非晶氮化硅由尺寸为纳米级非晶小颗粒经压制而成,界面占很大的比例.这种新型团体出现一些传统氮化硅所不具有的特殊性能.传统氮化硅是良好的绝缘体,研究它的介电行为当然十分重要.传统热压烧结和反应烧结获得的氮化硅的介电常数约为8.36,不论是晶态还是非晶态氮化硅在室温下的介电常数与频率无关.对于纳米非晶氨化硅介电行为的研究却未见报道.本文将系统研究纳米非晶氮化硅的介电行为,并深入研究产生这种特殊行为的机制. |
| 关 键 词： | 氮化硅 介电常数 极化 纳米级 |
| 收稿时间： | 1993-05-12 |
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