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| Ti/Sr比对低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的影响 | |
| 引用本文： | 徐保民,殷之文,王鸿.Ti/Sr比对低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的影响[J].硅酸盐通报,1991(5). |
| 作者姓名： | 徐保民 殷之文 王鸿 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 (徐保民，殷之文)，上海科学技术大学(王鸿) |
| 摘 要： | 本文研究了Ti/Sr比对低温一次烧结的SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料性能和显微结构的影响.结果发现Ti/Sr比在一定范围内变化时,不影响材料烧结和半导化的温度范围.Ti/Sr比的作用还与施主杂质的添加量以及烧结条件有很大关系.在良好的烧结条件下,SrO过量(Ti/Sr<1.00)有利于晶粒生长和获得高的有效介电常数.但SrO和TiO_2这些杂质相的存在降低了晶界绝缘层的绝缘性,增加了介电损耗. |
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