| 低熔点三苯二炔类液晶合成及高频介电性能 |
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| 引用本文： | 兰庚,宋垚,王新杰,谌永强,张智勇,汪相如,吴胜莉.低熔点三苯二炔类液晶合成及高频介电性能[J].液晶与显示,2023(2):139-148. |
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| 作者姓名： | 兰庚 宋垚 王新杰 谌永强 张智勇 汪相如 吴胜莉 |
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| 作者单位： | 1. 武汉轻工大学化学与环境工程学院;2. 电子科技大学光电科学与工程学院 |
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| 基金项目： | 国家装发部预研基金（No.61409230701）；;广东省重点领域研发计划（No.2019B010158001）~~； |
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| 摘 要： | 液晶微波通信器件所用的液晶材料都是高双折射率(Δn)液晶化合物组合而成，这些化合物的熔点大多较高，使得液晶组合物的低温共熔点较高，不利于微波通信器件的发展。本文合成了8种侧乙基三苯二炔类液晶化合物，将其按照一定的比例配置成低温共熔点在-46℃的液晶组合物MA，并以此为液晶母体，将其与另外几种液晶混合，采用矩形谐振腔微扰法测试液晶组合物在微波频段(11～35 GHz)的介电性能，得到了在18 GHz时的介电常数值(Δεr)为0.954，最大介电损耗(tanδεr max)为0.008 6，可满足微波用低熔点液晶材料的性能要求。
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| 关 键 词： | 三苯二炔类液晶 低熔点 高双折射 合成 高频介电性能 |
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