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杂志ISSN号
GaN HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障
作者姓名:
林罡
摘 要:
经过30年的发展,GaN已成为当今化合物半导体领域的研究和产业化的热点,同时也是卫星微波通讯的未来重点发展技术之一,但其可靠性一直是制约GaN HEMT器件工程化的重要因素。本文回顾和总结了南京电子器件研究所解决GaN HEMT微波器件的可靠性问题的研发历程,整理了GaN HEMT微波器件在各阶段的典型失效模式、失效机理。针对GaN微波器件的宇航应用,描述了与相关技术配套的宇航应用保障体系,以实现其良好的运行及未知风险的控制。
关 键 词:
氮化镓
SiC衬底GaN器件
微波功率器件
可靠性
失效机理
高温加速寿命试验(HTOL)
总剂量效应
单粒子效应
低气压放电
宇航应用保障
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