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| 基于CMOS工艺钨微测辐射热计阵列集成芯片的设计与制作 | |
| 引用本文： | 申宁,余隽,唐祯安.基于CMOS工艺钨微测辐射热计阵列集成芯片的设计与制作[J].传感技术学报,2014,27(6). |
| 作者姓名： | 申宁 余隽 唐祯安 |
| 作者单位： | 大连理工大学电子科学与技术学院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61131004,61274076) |
| 摘 要： | 采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本4×4钨微测辐射热计阵列集成芯片。阵列中每个钨微测辐射热计均由微悬桥结构和钨热敏电阻组成,CMOS读出电路集成在阵列下方。微悬桥结构由表面牺牲层技术实现,不需要任何的光刻工艺。钨微测辐射热计像元尺寸为100μm×100μm,填充因子为20%。测试结果表明,在真空环境下,钨微测辐射热计等效热导为1.31×10-4W/K,等效热容为1.74×10-7J/K,热时间常数为1.33 ms。当红外光源的斩波频率为10 Hz时,钨微测辐射热计的电压响应率为1.91×103V/W,探测率为1.88×107cm·Hz1/2/W。 |
| 关 键 词： | CMOS红外探测器 钨微测辐射热计 表面牺牲层技术 低成本红外探测器 红外焦平面阵列 |
The design and fabrication of a tungsten microbolometer array integrated chip in a standard CMOS process |
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| Abstract: | |
| Keywords: | CMOS infrared detectors Tungsten Microbolometer the surface sacrificial layer technology low-cost infrared detectors infrared focal plane arrays |
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