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| 0.1-0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用 | |
| 引用本文： | 叶甜春,谢常青,李兵,陈大鹏,陈朝晖,赵玲莉,胥兴才,刘训春,张绵,赵静.0.1-0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用[J].功能材料与器件学报,2000,6(3):182-185. |
| 作者姓名： | 叶甜春 谢常青 李兵 陈大鹏 陈朝晖 赵玲莉 胥兴才 刘训春 张绵 赵静 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,北京100010 2. 信息产业部电子13所,石家庄050051 |
| 摘 要： | 对同步辐射Ｘ射线光刻及在ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件制作中的应用进行了研究，并制作出栅长０．１５μｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ晶体管。研究结果表明，Ｘ射线光刻在肃离图形册结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止ＧａＡｓ合金点的形成是取得良好的对准标记的关键。 |
| 关 键 词： | X射线光刻 PHEMT T型栅 GaAs器件制作 |
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