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| GaN{11-22}半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱的研究 | |
| 引用本文： | 杨国锋,朱华新,郭颖,李果华,高淑梅. GaN{11-22}半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱的研究[J]. 激光与光电子学进展, 2014, 51(2): 22302 |
| 作者姓名： | 杨国锋 朱华新 郭颖 李果华 高淑梅 |
| 作者单位： | 杨国锋:江南大学理学院， 江苏 无锡 214122 朱华新:江南大学理学院， 江苏 无锡 214122 郭颖:江南大学理学院， 江苏 无锡 214122 李果华:江南大学理学院， 江苏 无锡 214122 高淑梅:江南大学理学院， 江苏 无锡 214122 |
| 基金项目： | 江苏省自然科学基金（11074280） |
| 摘 要： | 利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板,并利用半极性面模板生长InGaN/GaN多量子阱结构。结果表明,生长出的GaN模板由半极性面{11-22}面和c面组成,多量子阱具有390nm和420 nm的双峰发光特性,局域阴极发光(CL)测试表明390 nm附近的发光峰来源于半极性面上的量子阱发光,而420 nm左右的发光峰源于c面量子阱发光。c面量子阱发光相对于斜面量子阱发光发生显著红移是因为在选择性横向外延生长过程中,In组分相比Ga较易从掩模区域向窗口中心区域迁移,形成了中心高In组分的c面量子阱,而半极性面上InGaN/GaN多量子阱量子限制斯塔克效应相比于极性面会减弱,此外,相同生长条件下半极性面的生长速率低于极性c面的生长速率。 |
| 关 键 词： | 光学器件 选择性横向外延 GaN半极性面 多量子阱 极化效应 |
| 收稿时间： | 2013-09-02 |
Study on the Growth of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on GaN {11-22} Semipolar Plane |
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| Abstract: | |
| Keywords: | optical devices selective area epitaxy GaN semipolar plane multiple quantum wells polarization effect |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
