| 深亚微米部分耗尽型SOI MOSFET的建模及特征提取方法 |
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| 引用本文： | 唐威,吴龙胜,刘存生,刘佑宝.深亚微米部分耗尽型SOI MOSFET的建模及特征提取方法[J].吉林大学学报(工学版),2011,41(3):782-786. |
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| 作者姓名： | 唐威 吴龙胜 刘存生 刘佑宝 |
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| 作者单位： | 西安微电子技术研究所计算机研发部,西安,710054 |
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| 基金项目： | “十一五”国防预研项目 |
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| 摘 要： | 基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效应及浮体效应,并提出了PD SOI MOSFET的建模方法及相应的模型参数提取方法。根据上述方法对西安微电子技术研究所0.35μm工艺条件下的PD SOI器件进行了建模和验证,结果显示所建立的模型与测试数据吻合,表明本文所提方法的准确性及有效性。
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| 关 键 词： | 半导体技术 器件建模 BSIMSOI 部分耗尽型绝缘体上硅 参数提取 |
Modeling and characterization of deep-submicron PD SOI MOSFET |
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| TANG Wei,WU Long-sheng,LIU Cun-sheng,LIU You-bao.Modeling and characterization of deep-submicron PD SOI MOSFET[J].Journal of Jilin University:Eng and Technol Ed,2011,41(3):782-786. |
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| Authors: | TANG Wei WU Long-sheng LIU Cun-sheng LIU You-bao |
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| Affiliation: | TANG Wei,WU Long-sheng,LIU Cun-sheng,LIU You-bao(Department of Computer Research and Development,Xi'an Microelectronics Technology Institute,Xi'an 710054,China) |
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| Abstract: | Based on BSIM SOI model the self-heating effect,body contact effect and floating body effect of deep-submicron PD SOI MOSFET devices are investigated.The methods of modeling and parameter extraction of PD SOI MOSFET are developed.The above methods are applied to the devices fabricated in 0.35 μm PD SOI process in Xi'an Microelectronics Technology Institute.The extracted device model shows good agreement with experimental data,which validates the accuracy,effectiveness of the proposed methodology. |
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| Keywords: | semiconductor technology device modeling BSIMSOI partially depleted SOI(PD SOI) parameter extraction |
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