| 单晶金刚石外延层生长工艺研究 |
| |
| 引用本文： | 安康,刘金龙,林亮珍,张博弈,赵云,郭彦召,Tomasz Ochalski,陈良贤,魏俊俊,李成明. 单晶金刚石外延层生长工艺研究[J]. 表面技术, 2018, 47(11): 195-201 |
| |
| 作者姓名： | 安康 刘金龙 林亮珍 张博弈 赵云 郭彦召 Tomasz Ochalski 陈良贤 魏俊俊 李成明 |
| |
| 作者单位： | 北京科技大学 新材料技术研究院,北京,100083;Tyndall National Institute, Cork T12R5CP,Ireland |
| |
| 基金项目： | 国家重点研发计划（No.2018YFB0406501，No.2016YFE0133200） |
| |
| 摘 要： | 目的 研究高质量单晶金刚石外延生长工艺。方法 使用X射线白光形貌束分析了等离子体表面刻蚀处理前后单晶金刚石位错密度的变化，随后使用等离子体刻蚀预处理工艺，通过改变沉积温度研究了其对金刚石质量的影响。为了表征温度对单晶金刚石质量的影响程度，使用拉曼光谱和X射线衍射摇摆曲线等方法分析了单晶金刚石质量以及位错密度的变化情况，进而确定沉积高质量单晶金刚石最佳的沉积温度。结果 X射线白光形貌束结果显示，未进行氢氧等离子体表面刻蚀的籽晶生长之后，由于表面微加工、抛光引入的位错或者微裂纹，导致生长层位错增多；同时，氢氧等离子体表面刻蚀实验结果显示，刻蚀时间并非越长越好；使用刻蚀处理过的单晶金刚石籽晶进行不同温度外延生长实验，籽晶刻蚀后生长的金刚石拉曼峰位均在1332.5 cm?1附近，半高宽为2~3 cm?1之间。在900 ℃沉积之后，X射线摇摆曲线半高宽仅为0.009。结论 使用氢氧微波等离子体刻蚀单晶金刚石，800 ℃刻蚀40 min，可以基本消除因微加工或者抛光引入的位错或者缺陷。经过刻蚀处理的籽晶在900 ℃制备出的单晶金刚石质量最高，位错最少，可以满足高质量单晶金刚石的制备。
|
| 关 键 词： | 单晶金刚石 刻蚀 位错 外延生长 质量 形貌 |
| 收稿时间： | 2018-08-06 |
| 修稿时间： | 2018-11-20 |
Growth Technology of Epitaxial Single Crystal Diamond Layer |
| |
| AN Kang,LIU Jin-long,LIN Liang-zhen,ZHANG Bo-yi,ZHAO Yun,GUO Yan-zhao,Tomasz Ochalski,CHEN Liang-xian,WEI Jun-jun and LI Cheng-ming. Growth Technology of Epitaxial Single Crystal Diamond Layer[J]. Surface Technology, 2018, 47(11): 195-201 |
| |
| Authors: | AN Kang LIU Jin-long LIN Liang-zhen ZHANG Bo-yi ZHAO Yun GUO Yan-zhao Tomasz Ochalski CHEN Liang-xian WEI Jun-jun LI Cheng-ming |
| |
| Affiliation: | 1.Institute for Advanced Materials and Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China,1.Institute for Advanced Materials and Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China,1.Institute for Advanced Materials and Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China,1.Institute for Advanced Materials and Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China,1.Institute for Advanced Materials and Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China,1.Institute for Advanced Materials and Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China,2.Tyndall National Institute, Cork T12R5CP, Ireland,1.Institute for Advanced Materials and Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China,1.Institute for Advanced Materials and Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China and 1.Institute for Advanced Materials and Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | single crystal diamond etching dislocation epitaxial growth quality morphology |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《表面技术》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《表面技术》下载全文 |
|
