|
|||||
|
|
| Bi_4Ti_3O_（12）铁电薄膜的I－V特性测量及导电机理 | |
| 引用本文： | 沈效农,王弘,尚淑霞.Bi_4Ti_3O_（12）铁电薄膜的I－V特性测量及导电机理[J].功能材料,1995(4). |
| 作者姓名： | 沈效农 王弘 尚淑霞 |
| 作者单位： | 烟台大学，山东大学晶体所，山东大学实验中心 |
| 摘 要： | Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用ＭＯＣＶＤ方法制备的Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性测量及其导电机理。结果表明，在低场下，Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性表现为欧姆性质，在中强场下，薄膜的导电机理遵从ＳＣＬＣ理论。 |
| 关 键 词： | 铁电薄膜 MOCVD技术 空间电荷限制电流 离子跳跃电导 肖特基发射 |
The Measurement of I-V Characteristics and the Conductive Mechanism of Ferroelectric Bi_4Ti_3O_(12)Thin Film |
|
| Shen Xiaonong,Wang Hong,Shang Shuxia.The Measurement of I-V Characteristics and the Conductive Mechanism of Ferroelectric Bi_4Ti_3O_(12)Thin Film[J].Journal of Functional Materials,1995(4). | |
| Authors: | Shen Xiaonong Wang Hong Shang Shuxia |
| Abstract: | |
| Keywords: | Ferroelectric Film MOCVDTechnique Space Charge Limited Current (SCLC) Ion Hopping Conduction Schottkey Injection |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
