| 300 mm 硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析 |
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| 引用本文： | 高宇,周旗钢,戴小林,肖清华. 300 mm 硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析[J]. 稀有金属, 2007, 31(5): 585-589 |
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| 作者姓名： | 高宇 周旗钢 戴小林 肖清华 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京,100088 |
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| 基金项目： | 科技部国际科技合作项目 |
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| 摘 要： | 采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟，模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变，以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程，考虑了硅单晶的各向异性，计算了〈100〉硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律，结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著，界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。
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| 关 键 词： | 热应力 模拟 硅单晶 |
| 文章编号： | 0258-7076（2007）05-0585-05 |
| 修稿时间： | 2007-01-24 |
Numerical Analysis of Thermal Elastic Stress During 300 mm Silicon Crystal Growth Process |
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| Gao Yu,Zhou Qigang,Dai Xiaolin,Xiao Qinghua. Numerical Analysis of Thermal Elastic Stress During 300 mm Silicon Crystal Growth Process[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2007, 31(5): 585-589 |
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| Authors: | Gao Yu Zhou Qigang Dai Xiaolin Xiao Qinghua |
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| Affiliation: | GRINM Semiconductor Materials Co. Ltd. , General Research Institute for Non-Ferrous Metals, Beijing 100088, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 300 mm |
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