论功率MOSFET的发展前景 |
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引用本文: | 王素芹.论功率MOSFET的发展前景[J].硅谷,2010(10):50-50. |
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作者姓名: | 王素芹 |
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作者单位: | 衡水职业技术学院,河北,衡水,053000 |
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摘 要: | 由于世界市场的激烈竞争,各功率半导体器件制造商正投入大量资金发展新的设计、改进新的工艺、开发新的产品。好些产品甚至每个季度都有新的发展,品种的更新换代几乎到了使人眼花缭乱的程度。因此详细介绍器件发展的新趋势,就显得更为必要了。
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关 键 词: | 栅极电荷 通态漏源电阻 功率MOSFET |
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