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论功率MOSFET的发展前景
引用本文:王素芹.论功率MOSFET的发展前景[J].硅谷,2010(10):50-50.
作者姓名:王素芹
作者单位:衡水职业技术学院,河北,衡水,053000
摘    要:由于世界市场的激烈竞争,各功率半导体器件制造商正投入大量资金发展新的设计、改进新的工艺、开发新的产品。好些产品甚至每个季度都有新的发展,品种的更新换代几乎到了使人眼花缭乱的程度。因此详细介绍器件发展的新趋势,就显得更为必要了。

关 键 词:栅极电荷  通态漏源电阻  功率MOSFET
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