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水热法制备压电双晶片的研究
引用本文:杜立群,吕岩,董维杰,高晓光.水热法制备压电双晶片的研究[J].压电与声光,2007,29(3):331-334.
作者姓名:杜立群  吕岩  董维杰  高晓光
作者单位:1. 大连理工大学,精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116023
2. 大连理工大学,辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁,大连,116023
3. 大连理工大学,电信工程学院,辽宁,大连,116023
基金项目:国家自然科学基金;教育部和大连市留学回国人员科研启动基金;辽宁省博士科研项目
摘    要:用水热合成法在金属基板上制备了压电双晶片,该法简单,成本低。为了更好地研究双晶片的特性,利用扫描电镜(SEM)和X-射线衍射(XRD)技术,对PZT薄膜的特性进行了较为详细的研究。发现PZT薄膜由平均尺寸约为5μm的PZT晶粒组成,其物相组成成分PbTiO3和PbZrO3的比值约为53/47,处在准同型相界附近。根据试验中测得数据,计算出了薄膜的平均密度;并建立了双晶片位移驱动模型,由该模型得到压电系数d31,并研究了双晶片的铁电性。

关 键 词:压电双晶片  PZT薄膜  水热合成法
文章编号:1004-2474(2007)03-0331-04
修稿时间:2006-02-23

Study on Piezoelectric Bimorphs Using PZT Thin Films Deposited by Hydrothermal Method
DU Li-qun,L Yan,DONG Wei-jie,GAO Xiao-guang.Study on Piezoelectric Bimorphs Using PZT Thin Films Deposited by Hydrothermal Method[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2007,29(3):331-334.
Authors:DU Li-qun  L Yan  DONG Wei-jie  GAO Xiao-guang
Affiliation:DU Li-qun,L(U) Yan,DONG Wei-jie,GAO Xiao-guang
Abstract:
Keywords:piezoelectric bimorph  PZT film  hydrothermal method
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