| Co/C/4H-SiC欧姆接触特性的研究 |
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| 引用本文： | 王永顺,刘春娟,顾生杰,张彩珍. Co/C/4H-SiC欧姆接触特性的研究[J]. 半导体学报, 2011, 32(4): 044003-4 |
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| 作者姓名： | 王永顺 刘春娟 顾生杰 张彩珍 |
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| 作者单位： | 兰州交通大学电子与信息工程学院,兰州交通大学电子与信息工程学院 |
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| 基金项目： | Project supported by the Scientific and Technological Development Plan of Lanzhou City,China（No2009-1-1） |
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| 摘 要： | 研究了Co/4H-SiC结构的电学特性。通过直流溅射的方式在金属Co 薄膜 与SiC之间淀积了一层碳薄膜，极大地改善了欧姆特性。采用两步快速退火工艺，即500 °C 退火 10 分钟 再 1050 °C 退火 3 分钟，形成了良好的欧姆接触，接触电阻率为2.30×10-6 Ω.cm2。X射线衍射（XRD）分析表明高温退火后Co基金属接触层中的硅化物更加稳定，接触层下形成的富碳层有效地降低了电子输运的势垒高度，对欧姆接触的形成起了关键作用。通过对Au/Co/C/SiC 欧姆接触的热稳定性测试，结果表明经过500oC下20小时的热测试，掺杂浓度为2.8×1018 cm-3的 n型4H-SiC保持了良好的欧姆特性。
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| 关 键 词： | 欧姆接触 结构 接触行为 SiC薄膜 热稳定性 电接触性能 接触电阻率 X射线衍射 |
| 收稿时间： | 2010-09-07 |
Ohmic contact behaviour of Co/C/4H-SiC structures |
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| Wang Yongshun,Liu Chunjuan,Gu Shengjie and Zhang Caizhen. Ohmic contact behaviour of Co/C/4H-SiC structures[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2011, 32(4): 044003-4 |
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| Authors: | Wang Yongshun Liu Chunjuan Gu Shengjie Zhang Caizhen |
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| Affiliation: | School of Electronic and Information Engineering, Lanzhou Jiaotong University, Lanzhou 730070, China;School of Electronic and Information Engineering, Lanzhou Jiaotong University, Lanzhou 730070, China;Key Laboratory of Optical Electronic Technology and Intelligent Control of the Ministry of Education, Lanzhou Jiaotong University, Lanzhou 730070, China;School of Electronic and Information Engineering, Lanzhou Jiaotong University, Lanzhou 730070, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ohmic contacts SiC contact properties carbon-enriched layer stability |
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