无籽晶Pb_(1-x)Sn_xTe大单晶生长的研究

用升华法在密封安瓿的石英表面长成了Pb_(1-x)Sn_xTe(x～0.20)大单晶。利用初始次临界过冷,使单晶籽晶在原位置上接近平衡的条件下成核,从而可以快速长成优质单晶。未经处理装料中的游离成分对缺陷浓度,即:。夹裹物、孔洞、位错和低角晶界影响很大。退火装料中的过量Te(δ～0.01克分子％)对由汽-固机理成核是必要的,在适当的热条件下就能生成优质单晶。这种晶体的表观生长速率在所研究的整个过冷范围内(O≤△T≤25℃)与△T呈线性关系,且装料偏离化学配比对它影响很大。发现生长取向对总的生长速率影响不明显。本文还对晶体特性和晶体生长中可能存在的驱动力作了定性讨论。