| 平面型InGaAs/InP APD边缘提前击穿行为的抑制 |
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| 引用本文： | 肖雪芳,杨国华,王国宏,王树堂,陈良惠.平面型InGaAs/InP APD边缘提前击穿行为的抑制[J].半导体光电,2006,27(3):278-281. |
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| 作者姓名： | 肖雪芳 杨国华 王国宏 王树堂 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有高的电场,导致在结边缘的提前击穿.运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP/InGaAs APD的电场分布进行了二维有限元模拟,在表面电荷密度为5×1011cm-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度.比较了这三种结构的InP/InGaAs APD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣.通过理论研究对平面InP/InGaAs APD进行了优化.
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| 关 键 词： | 边缘击穿 雪崩光电二极管 结构 |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)03-0278-04 |
| 收稿时间： | 2005-08-09 |
| 修稿时间： | 2005年8月9日 |
Edge Breakdown Suppression of Planar-type InGaAs/InP Avalanche Photodiodes |
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| XIAO Xue-fang,YANG Guo-hua,WANG Guo-hong,WANG Shu-tang,CHEN Liang-hui.Edge Breakdown Suppression of Planar-type InGaAs/InP Avalanche Photodiodes[J].Semiconductor Optoelectronics,2006,27(3):278-281. |
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| Authors: | XIAO Xue-fang YANG Guo-hua WANG Guo-hong WANG Shu-tang CHEN Liang-hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | edge breakdown avalanche photodiode(APD) structure |
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