| Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs太阳电池低阻接触研究 |
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| 引用本文： | 隋兆文,陈芬扣,吴鼎芬,白霞.Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs太阳电池低阻接触研究[J].太阳能学报,1984(4). |
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| 作者姓名： | 隋兆文 陈芬扣 吴鼎芬 白霞 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所
(隋兆文，陈芬扣，吴鼎芬)，中国科学院上海冶金研究所(白霞) |
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| 摘 要： | 本文报道了pGa_(1-x)-Al_xAs-GaAs太阴电池的欧姆接触特性。用四探针法测定了Cr-Au、Ag-Zn、TiPdAu在pGaAs与pGa_(1-x)Al_xAs上的比接触电阻。在pGaAs上测出的比接触电阻分别为6.4×10~(-5)、9.4×10~(-5)和6.75×10~(-5)Ω-cm~2;在pGa_(1-x)Al_xAs上测出的比接触电阻分别为5.82×10~(14)、1.03×10~(-3)、5.02×10~(-4)Ω-cm~2(x≥0.8)。发现加热合金化和脉冲激光合金化方法效果相当。用离子刻蚀法刻蚀pGa_(1-x)Al_xAs,使电极直接与pGaAs接触时,比接触电阻值可降低一个数量级。效率高于15％(AM1)的太阳电池的串联电阻在1.0Ω以下。
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