| 10 Gbit/s GaAs 跨阻前置放大器 |
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| 引用本文： | 王国全,. 10 Gbit/s GaAs 跨阻前置放大器[J]. 电子器件, 2005, 28(2): 248-250 |
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| 作者姓名： | 王国全 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第13研究所,河北,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | GaAs基pHEMT工艺适合于制作10Gbit／s速率的高速前置放大器电路。完成了工作于10Gbit／s速率的跨阻前置放大器电路的器件设计、电路设计，电路采用了串联电感L技术，有效地提高了工作带宽。模拟工作带宽达到9．0GHz，跨阻增益达到58dBt2。电路采用0．2pmGaAs基pHEMT电子束直写T型栅工艺制作。对制作的电路进行了电测试，可工作于10Gbit／s的速率。
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| 关 键 词： | 光纤通信 跨阻前置放大器 GaAs |
| 文章编号： | 1005-9490(2005)02-0248-03 |
A 10 Gbit/s GaAs Transimpedance Preamplifier |
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| WANG Guo-quan. A 10 Gbit/s GaAs Transimpedance Preamplifier[J]. Journal of Electron Devices, 2005, 28(2): 248-250 |
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| Authors: | WANG Guo-quan |
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| Affiliation: | The 13 th Research Institute; CETC; Hebei Shijiazhuang 050051; China |
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| Abstract: | GaAs??based pHEMT??techno logy is fit fo r hig h speed preamplifier fo r 10 Gbit / s operat ion. AGaAs mo no lithic integrated t ransimpedance preamplif ier for 10 Gbit/ s f iber??opt ic communicat ion receiverhas been desig ned, fabricated and character ized. T he bandw idth of the preamplif ier is incr eased effect iv elyby using series inductor techno logy . T he result of simulat ion achieved a bandw idth of 9. 0 GHz and a t ran??simpedance gain of 58 dB ??. T his preamplif ier has been fabr icated using 0. 2 ??m GaAs??based pHEMT EBdirect w r it ing T??shaped gate technolo gy and tested at a data rate of 10 Gbit / s. |
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| Keywords: | GaAs |
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