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| 高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜 | |
| 作者姓名： | 韩伟强 韩高荣 |
| 作者单位： | [1]清华大学物理系 [2]浙江大学材料系 |
| 摘 要： | 在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相 |
| 关 键 词： | 纳米硅碳薄膜 高氢稀释法 晶化机制 薄膜制备 |
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