关于VLSIMOS工艺技术的比较:第Ⅰ部分

本文详细参考了从基本的工艺和电路设计考虑出发所受到的区限,对VLSI半导体工艺提出比较。主要讨论的内容有单晶硅衬底和绝缘衬底上的单沟MOS工艺及CMOS工艺。从制造工艺的观点来看,似乎有点是在PMOS、NMOS和CMOS三种工艺途径中进行选择。然而,就电路设计的许多类型来说,清楚地说明了CMOS工艺是最佳工艺。通过利用绝缘体上硅CMOS工艺得到了进一步改进,结论是这种工艺在VLSI时代将占有重要地位。