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NaI(Tl)谱仪中反散射峰的影响因素研究
引用本文:李根,魏凡,楼建玲.NaI(Tl)谱仪中反散射峰的影响因素研究[J].大学物理,2019,38(4):63-69.
作者姓名:李根  魏凡  楼建玲
作者单位:北京大学物理学院核物理与核技术教学实验室,北京,100871;北京大学物理学院核物理与核技术教学实验室,北京,100871;北京大学物理学院核物理与核技术教学实验室,北京,100871
基金项目:国家自然科学基金;理科基地资助
摘    要:本文利用Geant4和分离变量的方法,模拟了衬底材料、以及闪烁体的包装材料对反散射峰计数大小的影响.使用不同衬底材料时,模拟产生的反散射峰与全能峰计数比例、不同材料的饱和厚度值,与实验结果一致.本文还模拟了反散射峰计数随着闪烁体包装材料的厚度,以及闪烁体的长度、横截面积和体积的变化关系,找到了抑制由此产生反散射峰本底的方法.

关 键 词:康普顿散射  反散射峰  饱和厚度  GEANT4

Study of influence factors of backscattering peak in NaI (Tl) spectrometer with Geant4
LI Gen,WEI Fan,LOU Jian-ling.Study of influence factors of backscattering peak in NaI (Tl) spectrometer with Geant4[J].College Physics,2019,38(4):63-69.
Authors:LI Gen  WEI Fan  LOU Jian-ling
Affiliation:(Teaching Laboratory of Nuclear Physics and Nuclear Technology, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
Abstract:LI Gen;WEI Fan;LOU Jian-ling(Teaching Laboratory of Nuclear Physics and Nuclear Technology, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
Keywords:Compton scattering  backscattering peak  solid angle  saturation thickness  Geant4
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