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| 抛光方法对硅片表面Na、Ca、Fe杂质及有关电性参数的影响 | |
| 引用本文： | 黄启成 ,方育均.抛光方法对硅片表面Na、Ca、Fe杂质及有关电性参数的影响[J].半导体技术,1982(1). |
| 作者姓名： | 黄启成 方育均 |
| 摘 要： | 文章简要地介绍了国内外的同行业对抛光硅片表面所作的大量测试分析工作,着重介绍用MOS高频C-V测试、二极管平面结特性测试和离子探针分析器对SiO_2溶胶抛光、Cu离子/SiO_2溶胶抛光、Cu离子抛光和Cr离子抛光等工艺制作的硅片表面进行的测试分析和比 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
