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| 强流D-T中子发生器n-γ辐射场的MC模拟研究 | |
| 引用本文： | 姚泽恩,梁一,岳伟明,胡继峰,金孙均.强流D-T中子发生器n-γ辐射场的MC模拟研究[J].核技术,2009,32(10). |
| 作者姓名： | 姚泽恩 梁一 岳伟明 胡继峰 金孙均 |
| 作者单位： | 兰州大学核科学与技术学院,兰州,730000 |
| 摘 要： | 根据D-T中子源260 keV氘束流能量下的中子能谱和角分布数据,建立了D-T中子源模型,在中子发生器各元件材料及实验大厅墙壁对快中子的慢化、散射和吸收的条件下,采用MCNP模拟程序对强流中子发生器n-γ辐射场进行了模拟研究,得到了中子能谱、中子和γ角分布、n-γ比等重要参数.模拟结果与有关文献实验数据的基本吻合,验证了所建立的MCNP模拟模型的可靠合理. |
| 关 键 词： | D-T中子发生器 MCNP程序 n-γ场 中子能谱 角分布 n-γ比 |
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