| Pt(S)[n(100)×(110)]表面Cu欠电位沉积(英文) |
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| 引用本文： | Rubén Gisbert,Víctor Climent,Enrique Herrero,Juan M.Feliu.Pt(S)[n(100)×(110)]表面Cu欠电位沉积(英文)[J].电化学,2012(5):410-426. |
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| 作者姓名： | Rubén Gisbert Víctor Climent Enrique Herrero Juan M.Feliu |
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| 作者单位： | 阿利坎特大学电化学研究所 |
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| 基金项目： | supported by the MICINN(Spain)(project CTQ2010-16271);Generalitat Valenciana(project PROMETEO/2009/045,-FEDER) |
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| 摘 要： | 本文研究了Cu在Pt(100)台阶面和(110)单原子台阶的欠电位沉积.发现若不考虑阴离子吸附,初始阶段Cu在台阶面和台阶处的电沉积同时进行.在电沉积满单层的伏安曲线上,可以观察到若干峰.通过对峰电荷与台阶密度关系的分析,可认为这些峰分别对应于不同的沉积位点.较正电位的峰对应于Cu在台阶面上的电沉积,而在台阶处Cu的电沉积则因溶液中的阴离子而具有不同的伏安性质.此外,还发现Pt电极表面的Cu沉积电荷转移数接近2e,且沉积初始阶段阴离子覆盖度不变.
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| 关 键 词： | Pt单晶电极 Cu 欠电位沉积 台阶修饰 |
Underpotential Deposition of Copper on Pt(S)[n(100)×(110)] Stepped Surfaces |
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| Affiliation: | Rubén Gisbert,Víctor Climent,Enrique Herrero ,Juan M.Feliu (Instituto de Electroquímica,Universidad de Alicante,Ap.99,E-03080 Alicante,Spain) |
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