| 碲镉汞 PIN结构雪崩器件的I区材料晶体质量研究 |
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| 引用本文： | 沈川,张竞,杨辽,郭慧君,谢浩,周梅华,陈路,何力.碲镉汞 PIN结构雪崩器件的I区材料晶体质量研究[J].红外与毫米波学报,2024,43(2):173-177. |
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| 作者姓名： | 沈川 张竞 杨辽 郭慧君 谢浩 周梅华 陈路 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083 |
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| 基金项目： | 上海市自然科学基金资助项目（21ZR1473500）；国家自然科学基金资助项目（62204248）；上海市青年科技英才杨帆计划（22YF1455900） |
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| 摘 要： | 本文对中波红外PIN结构的碲镉汞（HgCdTe）雪崩器件关键雪崩区域的材料晶体质量进行研究。通过在实验材料上对PIN结构雪崩器件的全过程工艺模拟，采用微分霍尔、微分少子寿命等测试手段进行材料表征，评估获得了关键雪崩区域的真实材料晶体质量。研究发现，现有优化工艺下雪崩区域的晶体质量良好，拟合材料的SRH寿命最好能达到20.7 μs，可达到原生材料SRH寿命的相当水平，满足高质量中波碲镉汞雪崩器件的研制要求。同时，我们以获得的雪崩区域SRH寿命为基础，对HgCdTe APD结构器件进行相应2维数值模拟，获得理论最优的暗电流密度8.7×10-10 A/cm2。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 雪崩器件 少子寿命 暗电流 |
| 收稿时间： | 2023/7/17 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2024/2/22 0:00:00 |
Study on crystal quality of materials in Zone I of APD P-I-N HgCdTe |
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| SHEN Chuan,ZHANG Jing,YANG Liao,GUO Hui-Jun,XIE Hao,ZHOU Mei-Hu,CHEN Lu and HE Li.Study on crystal quality of materials in Zone I of APD P-I-N HgCdTe[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2024,43(2):173-177. |
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| Authors: | SHEN Chuan ZHANG Jing YANG Liao GUO Hui-Jun XIE Hao ZHOU Mei-Hu CHEN Lu and HE Li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe APD lifetime dark current |
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