| 一种防闩锁的多嵌入阱SCR ESD器件 |
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| 引用本文： | 侯佳力,胡毅,贺俊敏,王源.一种防闩锁的多嵌入阱SCR ESD器件[J].微电子学,2022,52(1):91-97. |
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| 作者姓名： | 侯佳力 胡毅 贺俊敏 王源 |
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| 作者单位： | 北京智芯微电子科技有限公司, 北京 100192;北京大学 集成电路学院, 北京 100871;北京大学 集成电路学院, 北京 100871;北京大学 微电子器件与电路教育部重点实验室, 北京 100871 |
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| 基金项目： | 国家电网有限公司总部管理科技项目资助(5100-201941436A-0-0-00) |
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| 摘 要： | 针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾,设计了一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构。相比于常规SCR结构,首先,通过移动阳极/阴极的N+/P+掺杂区引入辅助泄放器件,MEWSCR结构实现了二次触发,增加了维持电压；其次,通过在阳极P+区和阴极N+区下方分别嵌入N浅阱和P浅阱,增强非平衡载流子的SRH复合作用,降低SCR的再生反馈效应,提高了维持电流。基于0.18 μm BCD工艺,采用TCAD软件进行模拟。结果表明,新型MEWSCR器件的维持电压提升至23 V,维持电流提升1 A以上,满足ESD设计窗口要求。
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| 关 键 词： | 静电放电 硅控整流器 维持电压 闩锁 |
| 收稿时间： | 2021/8/15 0:00:00 |
A Latch-Up Immunity Multi-Embedded-Well SCR ESD Device |
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| HOU Jiali,HU Yi,HE Junmin,WANG Yuan.A Latch-Up Immunity Multi-Embedded-Well SCR ESD Device[J].Microelectronics,2022,52(1):91-97. |
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| Authors: | HOU Jiali HU Yi HE Junmin WANG Yuan |
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| Affiliation: | Beijing Smart-Chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192,P.R.China;School of Integrated Circuits, Peking University, Beijing 100871, P.R.China; School of Integrated Circuits, Peking University, Beijing 100871, P.R.China;Key Laboratory of Microelectronics Devices and Circuits MoE, Beijing 100871, P.R.China |
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| Keywords: | |
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