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| 电子束纳米光刻技术研究 | |
| 引用本文： | 刘玉贵,王维军,罗四维.电子束纳米光刻技术研究[J].微纳电子技术,2003,40(7):562-563. |
| 作者姓名： | 刘玉贵 王维军 罗四维 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051 |
| 摘 要： | 纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。我们使用VB5电子束曝光系统，经过工艺研究，现已研究出最细分辨率剥离金属条为17nm，最小剥离电极间距为10nm，最细T型栅为100nm。 |
| 关 键 词： | 电子束纳米光刻技术 纳米图形 剥离技术 微电子 电子束曝光系统 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)07/08-0562-02 |
| 修稿时间： | 2003年5月15日 |
E-beam nano-lithography technology research |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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