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硅晶体管中加氟可提高中子速度
引用本文:
杨英惠.硅晶体管中加氟可提高中子速度[J].现代材料动态,2007(3):13-14.
作者姓名:
杨英惠
摘 要:
英国南安普敦大学研究人员发现,在制造三层晶体管时向硅中加氟可使其中电子流动速度加快。研究人员利用现有硅制造工艺向硅器件加氟以图提高电子速度。
关 键 词:
硅晶体管
流动速度
加氟
英国南安普敦大学
中子
研究人员
电子速度
制造工艺
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