| 低温烧结SrTiO_3晶界势垒高度的研究 |
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| 引用本文： | 王评初,康颖,李峥,徐保民,奚益明,徐建鸣. 低温烧结SrTiO_3晶界势垒高度的研究[J]. 无机材料学报, 1996, 0(4) |
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| 作者姓名： | 王评初 康颖 李峥 徐保民 奚益明 徐建鸣 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所，中国科学院上海冶金研究所 |
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| 摘 要： | 本文利用双Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒模型依据ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器材料的Ｒ～Ｔ特性和室温下的Ｉ～Ｖ特性获得了晶界势垒高度随温度变化的关系．结果表明，势垒高度随温度的升高而增加．这一结果与用各不同温度下的Ｉ～Ｖ特性拟合所得到的势垒值基本相符．
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| 关 键 词： | 钛酸锶，晶界层电容器，晶界，势垒 |
Study on Barrier Height of Low Temperature Sintered SrTiO_3 GBBL Capacitor Material |
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| Wang Pingchu,Kang Ying, Li Zheng,Xu Baomin,Xi Yiming,Xu Jianming. Study on Barrier Height of Low Temperature Sintered SrTiO_3 GBBL Capacitor Material[J]. Journal of Inorganic Materials, 1996, 0(4) |
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| Authors: | Wang Pingchu Kang Ying Li Zheng Xu Baomin Xi Yiming Xu Jianming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiTiO_3 GBBL barrier |
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