| HgCdTe液相外延薄膜生长及缺陷表征 |
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| 引用本文： | 魏彦锋,陈新强,曹妩媚.HgCdTe液相外延薄膜生长及缺陷表征[J].红外与激光工程,2006,35(3):294-296,313. |
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| 作者姓名： | 魏彦锋 陈新强 曹妩媚 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
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| 摘 要： | 液相外延是制备HgCdTe薄膜材料的一项成熟技术,大尺寸的外延薄膜是研制HgCdTe红外焦平面列阵的基础。探讨了尺寸为30mm×40mm的HgCdTe液相外延薄膜生长技术,用红外透射光谱和X光貌相技术对材料进行了评价。并对HgCdTe薄膜表面的黑点缺陷、波纹起伏等特征形貌进行了讨论,指出黑点缺陷是杂质粒子在薄膜表面形成的包裹体,而表面波纹是由生长母液中的对流引起的。
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| 关 键 词： | 液相外延 碲镉汞 缺陷 |
| 文章编号： | 1007-2276（2006）03-0294-03 |
| 收稿时间： | 2005-09-10 |
| 修稿时间： | 2005-09-102005-11-30 |
Growth and defects characterization of HgCdTe film grown by LPE method |
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| WEI Yan-feng,CHEN Xin-qiang,CAO Wu-mei.Growth and defects characterization of HgCdTe film grown by LPE method[J].Infrared and Laser Engineering,2006,35(3):294-296,313. |
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| Authors: | WEI Yan-feng CHEN Xin-qiang CAO Wu-mei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Liquid phase epitaxy HgCdTe Defects |
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