| 电子轰击电荷耦合器件的研制 |
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| 引用本文： | 戴丽英,黄士周,刘德林,扬卉.电子轰击电荷耦合器件的研制[J].真空电子技术,2006(3):70-70. |
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| 作者姓名： | 戴丽英 黄士周 刘德林 扬卉 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 南京210016 |
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| 摘 要： | 作者采用多碱光电阴极、静电聚焦的电子透镜系统、背照CCD、高密度引脚的玻封结构以及超高真空处理技术,成功研制出了具有实时电子成像功能的电子轰击电荷耦合器件(Electron Bombarded Charge-CoupledDevice,简称EBCCD)。该器件的主要结构和性能参数为:有效光阴极直径18 mm、光谱响应范围400~850nm、光电阴极灵敏度200μA/lm、CCD像素数512×512、暗信号不均匀性18%。图1为该EBCCD样管实物照片,图2为该样管所输出的图像。图1制成的EBCCD样管的实物照片图2 EBCCD的输出图像电子轰击电荷耦合器件是一种对微弱光信号敏感的成像型…
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| 关 键 词： | 电荷耦合器件 电子轰击 多碱光电阴极 EBCCD 结构和性能 真空处理技术 Device 透镜系统 静电聚焦 电子成像 |
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