| 磁控溅射法制备二氧化钒薄膜及其性能表征 |
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| 引用本文： | 韩 宾,赵青南,杨晓东,赵修建.磁控溅射法制备二氧化钒薄膜及其性能表征[J].稀有金属材料与工程,2009,38(4):717-721. |
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| 作者姓名： | 韩 宾 赵青南 杨晓东 赵修建 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学,硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 教育部长江学者创新团队资助项目 |
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| 摘 要： | 采用射频反应磁控溅射法在镀有SiO2膜的钠钙硅玻璃基片上沉积了二氧化钒(VO2)薄膜.研究了在300℃沉积温度下,不同溅射时间(5～35min)对VO2薄膜结构和性能的影响.用X射线衍射、扫描电镜、自制电阻测量装置、紫外-可见光谱仪、双光束红外分光光度计对薄膜结构、形貌、电学及光学性能进行了表征.结果表明:薄膜在低温半导体相主要以四方相畸变金红石结构存在,在(011)方向出现明显择优取向生长,随着溅射时间的延长,晶粒生长趋于完整,晶粒尺寸增大;对溅射时间为35 min的薄膜热处理,发现从室温到90℃范围内,薄膜方块电阻的变化接近3个数量级;由于本征吸收,薄膜在可见光范围透过率较低,且随膜厚的增加而逐渐降低;在1500～4000 cm-1波数范围内,原位测量薄膜样品加热前后(20和80℃)的红外反射率,发现反射率的变化幅度随着膜厚增加而提高,最高可达59%.
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| 关 键 词： | 二氧化钒薄膜 磁控溅射 溅射时间 晶粒尺寸 膜厚 |
| 收稿时间： | 2008/3/26 0:00:00 |
| 修稿时间： | 5/9/2008 12:00:00 AM |
Preparation and Characterization of Vanadium Dioxide Films by Magnetron Sputtering |
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| Han Bin,Zhao Qingnan,Yang Xiaodong and Zhao Xiujian.Preparation and Characterization of Vanadium Dioxide Films by Magnetron Sputtering[J].Rare Metal Materials and Engineering,2009,38(4):717-721. |
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| Authors: | Han Bin Zhao Qingnan Yang Xiaodong and Zhao Xiujian |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Silicate Materials Science and Engineering of Ministry of Education;Wuhan University of Technology;Wuhan 430070;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vanadium dioxide films magnetron sputtering sputtering time grain size film thickness |
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