In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构 |
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作者姓名: | 范卫军 夏建白 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所 北京100083(范卫军),中国科学院半导体研究所 北京100083(夏建白) |
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摘 要: | 用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场.
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关 键 词: | ZnGaAs/GaAs 超晶格 电子结构 |
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