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| 用DBD-PECVD方法合成碳纳米管 | |
| 引用本文： | 李飞,李社强,江南,石晓光,冯克成. 用DBD-PECVD方法合成碳纳米管[J]. 真空科学与技术学报, 2005, 25(3): 200-203 |
| 作者姓名： | 李飞 李社强 江南 石晓光 冯克成 |
| 作者单位： | 1. 长春理工大学理学院,长春,130022;中国科学院物理研究所,北京,100080 2. 中国科学院物理研究所,北京,100080 3. 长春理工大学理学院,长春,130022 |
| 摘 要： | 在大气压、较低温度下合成碳纳米管(CNTs),对于大规模的工业生产具有重要的意义.本文介绍了一种介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD)的方法,并利用该方法制备碳纳米管.实验是在约0.5个大气压、700℃下,通入氢气和甲烷的混合气体(CH4/H2为1∶10～1∶20),产生DBD等离子体;衬底为硅片;催化剂是用磁控溅射制备的Ni/Al薄膜,厚度分别为3nm和10nm.在扫描电镜下观察发现,碳纳米管的生长符合底端生长模式.在透射电镜下观察,碳纳米管没有竹节状结构.拉曼光谱分析表明,这种碳纳米管的结构缺陷比较多. |
| 关 键 词： | 碳纳米管 介质阻挡放电 等离子体增强化学气相沉积 镍催化 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）03-0200-04 |
| 收稿时间： | 2004-12-07 |
| 修稿时间： | 2004-12-07 |
Synthesis of Carbon Nanotubes Using Dielectric Barrier Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition |
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| Li Fei,Li Sheqiang,Jiang Nan,Shi Xiaoguang,Feng Kecheng. Synthesis of Carbon Nanotubes Using Dielectric Barrier Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2005, 25(3): 200-203 | |
| Authors: | Li Fei Li Sheqiang Jiang Nan Shi Xiaoguang Feng Kecheng |
| Affiliation: | 1. Changchun University of Science and Technology, Changchun,130022, China; 2. Institute of Physics, Chinese Academy of Sciawes, Beijiag ,100080, China |
| Abstract: | Large-scale carbon nanotube(CNT) films have been successfully grown for industrial application on silicon wafer by dielectric barrier discharge plasma enhanced chemical vapor deposition(DBD-PECVD) at atmospheric pressure and rather low temperature.The CNT films were characterized with Raman spectroscopy,scanning electron microscopy(SEM) and transmission electron microscopy(TEM).The results show that the nanotubes have high density of structural defects,but showing no bamboo-knot shaped defects. |
| Keywords: | CNTs DBD PECVD Ni catalyst |
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