| 沉积条件对室温下磁控溅射AZO薄膜微结构与光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 莫敏静,刘哲,马紫腾,董志虎,刘雍,魏长伟,何春清.沉积条件对室温下磁控溅射AZO薄膜微结构与光电性能的影响[J].半导体光电,2022,43(3):561-566, 577. |
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| 作者姓名： | 莫敏静 刘哲 马紫腾 董志虎 刘雍 魏长伟 何春清 |
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| 作者单位： | 武汉大学 物理科学与技术学院 湖北省核固体物理重点实验室, 武汉 430072;武汉长弢新材料有限公司, 武汉 430000 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划项目(2019YFA0210003)；国家自然科学基金项目(12075172,12074291,11875209).＊通信作者:何春清E-mail:hecq@whu.edu.cn |
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| 摘 要： | 通过控制室温下射频磁控溅射过程中不同的氩气工作气压、溅射功率和沉积时间，在石英玻璃上沉积Al掺杂ZnO（AZO）薄膜，探究了三种工艺条件对制备的AZO薄膜的微结构及光电性能的影响。所制备的AZO薄膜经500℃退火后均为六方纤锌矿结构，具有优异的透明度，在可见光范围内的平均透过率均在86%以上。在气压0.25 Pa、功率200 W下，溅射时间为10 min时，薄膜的电阻率低至5.04×10-3Ω·cm,而溅射时间为15 min时，Haacke性能指数最优，为0.314×10-3Ω-1。结果表明，磁控溅射制备的AZO薄膜的晶体结构、方阻和透过率等特性与制备过程中的气压、功率和时间密切相关，通过评价性能指数可指导优化AZO薄膜的制备工艺。
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| 关 键 词： | AZO透明导电薄膜 射频磁控溅射 室温 气压 功率 沉积时间 |
| 收稿时间： | 2021/12/22 0:00:00 |
Effect of Deposition Conditions on Microstructure and Photoelectric Properties of AZO Films by Magnetron Sputtering at Room Temperature |
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| MO Minjing,LIU Zhe,MA Ziteng,DONG Zhihu,LIU Yong,WEI Changwei,HE Chunqing.Effect of Deposition Conditions on Microstructure and Photoelectric Properties of AZO Films by Magnetron Sputtering at Room Temperature[J].Semiconductor Optoelectronics,2022,43(3):561-566, 577. |
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| Authors: | MO Minjing LIU Zhe MA Ziteng DONG Zhihu LIU Yong WEI Changwei HE Chunqing |
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| Affiliation: | Key Lab.of Nuclear Soild State Physics, School of Physics and Technol., Wuhan University, Wuhan 430072, CHN;WuHan Chamtop New Materials Co., Ltd., Wuhan 430000, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AZO transparent conductive film RF magnetron sputtering room temperature pressure power deposition time |
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