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| CoSi_2中As~+和BF_2~+注入杂质再分布形成硅化物化浅结性能研究 | |
| 作者姓名： | 徐立 张国炳 陈文茹 武国英 王阳元 龚里 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所，北京大学微电子学研究所，北京大学微电子学研究所，北京大学微电子学研究所，北京大学微电子学研究所，Fraunhofer-Arbeitsgruppe fur Integrierte Schaltungen，Erlangen，Germany 北京100871，北京100871，北京100871，北京100871，北京100871 |
| 摘 要： | 向CoSi_2膜中分别注入As~+和BF_2~+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi_2下面的硅衬底中,能制作出结深为0.12μm的硅化物化N~+-P和 P~+-N浅结.本文研究了所制作的浅结性能,井从注入杂质在 COSi_3/Si系统中的再分布行为,讨论了浅结形成机理. |
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