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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质
作者姓名:
陈枫
封松林
杨锡震
王志明
赵谦
温亮生
作者单位:
中国科学院半导体研究所
摘 要:
我们利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了一系列InAs自组织生长的量子点超晶格样品,确认样品中存在体GaAs缺陷能级EL2和InAs量子点电子基态能级.测得1.7和2.5原子层InAs量子点电子基态能级相对于GaAs的导带底分别为100meV和210meV,量子点电子基态的俘获势垒分别为0.48eV和0.30eV.
关 键 词:
砷化铟 自组织生长 量子点 电子基态
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