| 工艺条件对热丝 CVD金刚石薄膜电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘健敏,夏义本,王林军,张明龙,苏青峰. 工艺条件对热丝 CVD金刚石薄膜电学性能的影响[J]. 无机材料学报, 2006, 21(4): 1018-1024. DOI: 2006DOI:10.3724/SP.J.1077.2006.01018 |
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| 作者姓名： | 刘健敏 夏义本 王林军 张明龙 苏青峰 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;上海市纳米科技专项基金;上海市应用材料研究与发展基金;上海市学科科研项目 |
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| 摘 要： | 采用不同的沉积条件,通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜．讨论了薄膜退火前后的介电性能．研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系．通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性．结果表明,退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质,改善了薄膜质量．获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能,在50V偏压条件下电阻率为1．2×1011Ω·cm,频率在2MHz条件下介电常数为5．73,介电损耗为0．02．
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| 关 键 词： | 退火工艺 化学气相沉积金刚石薄膜 沉积条件 |
| 文章编号： | 1000-324X（2006）04-1018-07 |
| 收稿时间： | 2005-07-07 |
| 修稿时间： | 2005-07-072005-08-26 |
Effects of Process Conditions on Electric Properties of Hot-filament CVD Diamond Films |
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| LIU Jian-Min,XIA Yi-Ben,WANG Lin-Jun,ZHANG Ming-Long,SU Qing-Feng. Effects of Process Conditions on Electric Properties of Hot-filament CVD Diamond Films[J]. Journal of Inorganic Materials, 2006, 21(4): 1018-1024. DOI: 2006DOI:10.3724/SP.J.1077.2006.01018 |
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| Authors: | LIU Jian-Min XIA Yi-Ben WANG Lin-Jun ZHANG Ming-Long SU Qing-Feng |
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| Affiliation: | SchoolofMaterialsScienceandEngineering,ShanghaiUniversity,Shanghai200072,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | annealing process CVD diamond films deposition condition |
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